crf電漿清洗機處置以后ITO外表粗糙度提升:
        現(xiàn)階段處置ITO的方式主要是分成物理方法和化學方式2種。主要是CRF電漿清洗機處置和打磨拋光，化學方式主要包含酸堿處置、氧化物質(zhì)處置及其在ITO表層提升有機質(zhì)和無機物。

        CRF電漿清洗機處置被指出是最有效的處理方式。ITO的表層功函數(shù)與元件中的空穴傳輸層NPB的最高電子具有軌道(HOMO)之間存有較高的勢壘，致使元件的特性低。
        TTO表層的氧含量將直接影響ITO的功函數(shù)，氧含量提升將致使ITO費米能級的減低，功函數(shù)的增高。ITO經(jīng)相混電漿清洗機處置后，表層形貌會出現(xiàn)明顯轉(zhuǎn)變。
未經(jīng)處理的ITO表面形態(tài)和等離子體處理的ITO表面形態(tài)分析發(fā)現(xiàn)，ITO表面的平均粗糙度和峰谷距離明顯降低，表面顆粒半徑也大大降低。ITO與有機質(zhì)層的接觸面增大，有利于氧原子的附著。電漿清洗機處置能更好地改善ITO表層形貌，與此同時可以看到ITO表層氧空洞明顯增多，表層富集了1層帶負電的氧，形成界面偶極層，提升了ITO表層功函數(shù)，使得ITO的空穴注人能力大大增強。
        此外，電漿清洗機處置以后ITO外表粗糙度減少，ITO膜與NPB之間的界面能減少，空穴注人變得容易，與由陰極注人的電子更好的復合產(chǎn)生激子，電漿清洗機處置后的陽極制備的元件亮度高，質(zhì)量好。